GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 名称：GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 类型：其他标准
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《GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》下载简介
标准编号：GB/T 6617-2009
简体名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
繁体名称：矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
英文名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
标准简介：
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm
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